欧美自拍第一页_亚洲在看_性高潮网站_体育生gay视频_国产二级一片内射视频播放_日韩精品视频在线看_欧美91大片_国产高清在线不卡_网站一级片_菲律宾毛片_男女做爰猛烈刺激_精品久久久久久久免费人妻_免费观看成人在线视频_男生和女生做羞羞的事_极品大奶

您現(xiàn)在的位置:首頁 > 資訊 > 特別關注 > 正文

紫光公開嵌入式多層SeDRAM內存:帶寬、能效遙遙領先 微頭條

時間:2023-07-03 20:52:30    來源:快科技    


(資料圖)

7月3日消息,近日的VLSI 2023技術與電路研討會上,西安紫光國芯公開發(fā)表技術論文《基于小間距混合鍵合和mini-TSV的135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit嵌入式多層陣列DRAM》,展示了西安紫光國芯在SeDRAM方向的最新突破。

本年度的VLSI會議共收到全球投稿632篇,最終錄取212篇,只有2篇來自中國內地企業(yè),其中1篇就是西安紫光國芯的貢獻的。

西安紫光國芯的新一代多層陣列SeDRAM,相較于上一代單層陣列結構,主要采用了低溫混合鍵合技術(Hybrid Bonding)、微型硅穿孔(mini-TSV)堆積技術。

這種內存的每Gbit(十億比特)由2048個數(shù)據(jù)接口組成,每個接口的數(shù)據(jù)速度都達到541Mbps,最終實現(xiàn)了業(yè)界領先的135 GBps/Gbit帶寬、0.66 pJ/bit能效,基于此實現(xiàn)了邏輯單元和DRAM陣列三維集成。

關鍵詞:
相關新聞

最近更新

凡本網注明“XXX(非汪清新聞網)提供”的作品,均轉載自其它媒體,轉載目的在于傳遞更多信息,并不代表本網贊同其觀點和其真實性負責。

特別關注